【摘 要】
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氮化铝(AlN)薄膜材料作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物,具有高声表面波速度、高压电系数以及良好的化学稳定性等优点,使得AlN压电薄膜在高频声表面波器件领域备受关注。在AlN薄膜的制备过程中薄膜对氧元素极其敏感,很少的氧杂质即可对AlN薄膜结构与性能产生巨大的影响。本文主要围绕AlN压电薄膜在较高背底真空下的掺杂以及薄膜取向开展研究。论文中使用大连理工大学物理学院三束材料改性实验室自主研发的MW-EC
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氮化铝(AlN)薄膜材料作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物,具有高声表面波速度、高压电系数以及良好的化学稳定性等优点,使得AlN压电薄膜在高频声表面波器件领域备受关注。在AlN薄膜的制备过程中薄膜对氧元素极其敏感,很少的氧杂质即可对AlN薄膜结构与性能产生巨大的影响。本文主要围绕AlN压电薄膜在较高背底真空下的掺杂以及薄膜取向开展研究。论文中使用大连理工大学物理学院三束材料改性实验室自主研发的MW-ECR射频非平衡磁控溅射设备采用两种方式制备了氧掺杂AlN薄膜,一种是单层氧掺杂,即氧气只在AlN薄膜制备的
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核壳材料根据其结构、大小、组成排列的不同,可具有特殊的物理化学特性。在核壳材料中,空心核壳材料由于其独特的空腔结构以及热和机械性能好等特点而成为核壳材料中研究的热点。这些材料能为金属纳米颗粒的稳定提供支撑作用,大大提高金属纳米颗粒的性能。贵金属虽然在许多方面具有优良性能,但价格限制了其大规模应用,使人们的研究慢慢转向过渡金属,例如钴、镍等。化学合成法可以准确控制载体空心材料的结构大小等,其中反向微
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在全球市场竞争越来越激烈的大背景下,客户要求的产品交货期不断缩短,导致产品的设计周期也必须随之减短,以快速地设计出符合客户需求的产品。由于设计过程规划决定产品的设计顺序,直接影响设计周期的长短,因此对设计过程规划方法进行优化能够使企业更好地适应当下环境。同时,企业在不断地设计开发过程中具备了成熟稳定的产品结构,并且积累了大量设计知识,有效利用已有的产品结构和设计知识指导设计过程规划能够缩短产品的设
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