长荧光寿命CdTe与CdTe/CdS量子点的水相合成及性能研究

来源 :大连理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gaolch011
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近年来,量子点(QDs)的应用领域不断地拓展,例如生物领域、光催化领域和显示领域等,但是量子点的荧光寿命通常只有10-40ns,也限制了它的应用。本论文针对上述问题,主要研究如何延长量子点的荧光寿命。本文在新结构巯基化合物存在下合成了水溶性的CdTe QDs。通过紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱证实QDs具有较高的量子产率;时间分辨光谱、X射线衍射及透射电镜对所合成的CdTe QDs的性能进行表征,得到了长寿命的立方相的CdTe QDs,其中4-巯基苯甲酸(L1)修饰的CdTe QDs在550nm发射时的荧光寿命达到80ns,在2-巯基苯并噻唑(L2)修饰下达到58ns,而传统方法制备的QDs的荧光寿命很难达到40ns以上。本论文对不同反应参数条件,如不同回流时间、pH值、体系浓度(以Cd2+浓度为准)以及配体种类对本实验方法合成的CdTeQDs的发光性能的影响进行了研究。本论文在水相中两步法制备了长寿命CdTe/CdS Ⅱ型核壳结构QDs,并且研究了不同包覆时间和S/Te摩尔比对CdTe/CdS核壳QDs发光性能的影响,实验表明利用此方法可以制备具有较长荧光寿命的CdTe/CdS核壳QDs,并且实验可重复性强、操作简便。通过吸收光谱和发射光谱,时间分辨光谱以及XRD对所合成的CdTe QDs的性能进行表征,荧光寿命有显著的增加,当S/Te摩尔比为2时,L1-CdTe/CdS QDs能够达到83ns,而L2-CdTe在相同条件下能够达到75ns。利用吸收发射光谱以及XRD谱图可以证实QDs的结构是CdS外延生长在CdTe核上的Ⅱ型核壳量子点。对CdTe进行CdS包覆,得到Ⅱ型核壳量子点,也可以提高QDs(?)勺荧光寿命。本论文对上述两种延长荧光寿命的方式进行了对比,即新配体法和CdS包覆法。通过CdS层的包覆,L1存在下,荧光寿命由65ns延长至83ns,相应的量子产率由51%下降至21%;L2-QDs的荧光寿命由56ns延长至75ns,相应的量子产率由43%下降至19%。而新配体法可以在PLQY基本保持不变的基础上,延长荧光寿命,即此方法能够得到长寿命高发光的量子点。
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