氰根桥连的零维多核磁体的研究

来源 :大连理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangting198198225
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信息产业是世界各国在21世纪重点研究和关注的领域,人们的生活已经与其发展息息相关,作为组成信息产业必不可少的数据存储技术得到了各国科学家的极大重视。磁性材料以及相关的磁性化合物是存储技术的重要介质,传统的磁性材料已经很难满足技术发展的需要,具有磁学物理特征的新型分子磁体进入了我们的视野。我们注意到氰根桥连的零维分子磁体具有大的自旋、各向异性以及强的磁耦合等独特的性能,而且在不同金属离子之间的磁交换本质有助于预测化合物的结构性能,进而提高磁性材料的磁存储密度,有望被应用于量子计算机以及高密度信息存储等领域。根据这种情况,本论文开展了以下的工作。我们设计合成了[Fe(pzTp)(CN)3]-、[Fe(Tp)(CN)3]-、[Fe(pcq)(CN)3]-和[Fe(Tp*)(CN)3]-等四种阴离子作为构筑单元,选择含氮的有机小分子2,2-联吡啶、1,4-二(1-咪唑基)苯和2,2联嘧啶作为第二配体,通过配位化学和分子工程手段,分别与二价铜离子、二价钴离子和二价锰离子进行自组装反应,由于氰根较强磁作用传递能力,得到了四种零维的氰根桥连化合物,并对四种化合物的晶体结构、磁性等性质进行表征。晶体结构分析和磁性分析研究表明,化合物1为Fe-Cu双核结构,单斜晶系,P2(1)/n空间群,具有亚铁磁相互作用;化合物2为Fe-Cu-Fe三核结构,单斜晶系,P2(1)/n空间群,具有较弱的铁磁相互作用;化合物3为Fe-Co-Fe三核结构,单斜晶系,C2/c空间群,具有较弱的铁磁相互作用;化合物4为Fe-Mn-Fe三核结构,三斜晶系,严1空间群,具有较弱的铁磁相互作用。
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