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本论文基于密度泛函理论(DFT)下的B3LYP方法，系统地研究了硅铜合金团簇(CuSi)n(n=1-8)、(Cu2Si)n(n=1-6)、(Cu5Si3)n(n=1-3)的几何结构、相对稳定性和电磁特性，得到了以下主要结论： 对于(CuSi)n(n=1-8)团簇，当n=1时，团簇为直线型结构；当n=2时，团簇呈现四面体结构；n=3开始，团簇以三维结构盖帽生长；从n=6开始，团簇出现类笼状结构，且有Cu原子陷入类笼状内部。对于(Cu2Si)n(n=1-6)团簇，当n=1时，团簇为二维平面三角形结构；从n=2开始，团簇以三维结构盖帽生长。对于(Cu5Si3)n(n=1-3)团簇，当n=1时，团簇的基态结构是由两个五面体拼接而成的十一面体结构，当n=2、3时，团簇表现为类笼状结构。 随着团簇尺寸的增加，(CuSi)n(n=1-8)、(Cu2Si)n(n=1-6)、(Cu5Si3)n(n=1-3)团簇的平均每原子结合能都逐渐增大，团簇的稳定性逐渐增强；对于同一尺寸的团簇而言，硅铜合金团簇的平均每原子结合能总是高于纯铜团簇的平均每原子结合能，这说明了硅原子的掺入提高了纯铜团簇的稳定性。对键长的分析表明，硅铜合金团簇中Si-Si原子之间的相互作用最强，Si-Cu原子之间的相互作用次之，Cu-Cu原子之间的相互作用最弱。 对硅铜合金团簇的HOMO-LUMO能隙以及化学硬度的分析一致表明：(CuSi)2、(CuSi)4、(Cu2Si)4、Cu5Si3这些团簇具有较强的化学惰性。 对团簇的Hirshfeld布居分析和差分电荷密度分析表明：除CuSi外，电子总是由Cu原子转移到Si原子，Cu原子的电负性较弱。Hirshfeld布居分析和偏波态密度(PDOS)分析一致表明：(CuSi)n、(Cu5Si3)n团簇的总磁矩呈现奇偶振荡变化，(Cu2Si)n团簇的总磁矩始终为0μB。硅铜合金团簇中有明显的s-p-d电子轨道杂化特征。 硅铜合金团簇的静态极化率主要分布在XX、YY、ZZ这三个方向上，其它方向上的静态极化率几乎为0；硅铜合金团簇的平均每原子静态极化率都随着团簇尺寸的增大而减小，说明团簇的尺寸越大，其电子结构越紧凑。