RPCVD（减压化学气相淀积）是目前生长SiGe/Si异质结薄膜材料的主流技术之一。在SiGe的RPCVD生长过程中，硅烷、二氯二氢硅、锗烷、氢气等反应物均为气体，其在反应室内流场分布情况将影响薄膜淀积的均匀性，而其流体动力学行为又与反应室内压强、温度以及气体流量等密切相关。本文重点进行了RPCVD生长SiGe材料的流体动力学行为的研究。根据实际工艺设备结构，建立了RPCVD反应室的CFD（计算流体动力学）仿真模型。利用FLUENT软件，通过改变反应室的几何参数、压强、基座温度、流量和基座转速等结构和工艺参数，模拟了RPCVD反应室内的压强场、密度场、速度场和温度场的分布，确定出最优的工艺条件范围。在此基础上，首次采用正交试验设计法，对RPCVD生长低温应变SiGe和高温弛豫SiGe的FLUENT模拟分别进行优化设计。根据正交实验的优化设计，进行了反应室内密度分布、压强分布及温度分布的FLUENT模拟。参照Si片均匀性测试的方法，对SiGe外延片9点处的FLUENT模拟结果进行了方差分析，得出低温应变SiGe RPCVD的最优模拟工艺为：流量10slm、温度823K、压强20torr，高温弛豫SiGe RPCVD的最优模拟工艺为：流量10slm、温度1123K、压强60torr。最优模拟工艺与RPCVD生长SiGe的实际工艺一致。