击穿电压一直是分析功率半导体器件的主要参数之一,而采用相应的终端技术是击穿电压的有力保证。传统的功率半导体器件通常采用斜角造型技术,现代功率半导体器件,如功率MOSFET、IGBT和MPS等多采用二氧化硅作为掩模的窗口扩散形成平面结,其终端技术也不再是以往的斜角造型技术,而是采用所谓的平面功率半导体器件终端技术。本文针对两种典型的平面功率半导体器件终端技术进行优化设计和分析研究。本文设计了一款平面终端结构使器件耐压达到1200V。首先,分析雪崩击穿的机理和几种影响器件击穿电压降低的因素。根据相关文献和国内现有工艺生产水平,将所设计的终端结构定为场板加场限环的复合结构。其次,从设计要求出发,结合理论推导,确定了器件衬底掺杂浓度为8.7e13cm^-3,结深为6μm。并且利用Silvaco器件仿真软件和限定变量法确定了仅有场限环的终端结构的相关参数,如环的间距、环的宽度、表面电荷浓度等。通过分析单个场限环时终端结构的电特性,确定了环间距在本设计中的仿真优化标准,进而确定了该结构所需要的场限环的个数为7。最后,添加了场板结构和优化了场氧厚度,从电场和电势能分布上对比分析,确定最终的结构参数,得到理想的模拟分析结果。在本课题的研究中,由于大部分的结构设计参数没有具体的设计计算公式,所以需要进行大量的仿真模拟工作。模拟得到最终耐压为1415V,终端宽度为375μm,达到设计的要求,本论文的研究工作可为今后类似的设计提供有效参考。