氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,具有较高的激子束缚能(60 meV),保证了室温下高效的激子发射以及紫外发光。为了提高ZnO的发光效率,达到带隙的调制,通常用禁带宽度为7.7 eV的MgO与其形成合金材料,通过调节合金中Mg的含量,从而调节禁带宽度,进而调制材料的发光特性。本文利用脉冲激光沉积方法在MgO衬底上生长ZnO薄膜。对同样的样品进行不同温度下的快速退火,希望得到不同Mg含量的Zn1-xMgxO合金,并通过X射线衍射谱(XRD)、光致发光谱(PL spectrum),拉曼光谱(Raman spectrum)以及吸收光谱(Absorption)对其进行表征。通过对不同温度下退火的样品的XRD分析,我们得到在700°C快速退火的时候样品的结晶质量变好,800°C快速退火的时候样品的取向性变好;对样品分别进行PL光谱,Raman光谱以及吸收光谱的检测,我们均明显的看到了紫外峰位、1LO声子以及吸收边的蓝移,这充分说明我们已经通过不同温度下的快速退火得到了Mg含量不同的Zn1-xMgxO合金。900°C快速退火的时候样品出现了过多的缺陷,我们得出了对ZnMgO合金进行退火的退火温度不宜过高。对PL谱的紫外峰位计算,我们得到了四块样品中的Mg含量由0到0.116的单调变化,达到了同一批样品上得到不同Mg含量的Zn1-xMgxO合金的目的,进而提出了一种制备Zn1-xMgxO合金的方法,这种方法既可以较简单的得到不同组分的Zn1-xMgxO合金,同时又避免了合金薄膜与衬底的晶格失配以及衬底元素进入合金。