高压氮化镓绝缘栅型光电导开关的关键工艺研究

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【摘要】

：

与SiC相比,GaN具有更宽的带隙、更短的载流子寿命,更高的饱和电子漂移速度等特点,是目前发展高压、高频、高功率光电导开关器件的优选材料。目前暗态高阻(半绝缘)的GaN晶圆是通过掺铁补偿的氢化物气相外延生长工艺得到的。用它制作成的传统纵向型结构光电导开关,因为暗态漏电流问题,实际耐压能力远远小于本征GaN的理论值。因此本文研究一种集成了金属-绝缘层-半导体场效应晶体管和稳压二极管工作原理的光电导开

【作者】

：

曹瑞彬

【机构】

：

西安理工大学

【发表日期】

：

2018年06期

【关键词】

：

氮化镓光电导开关半导体工艺高压环境

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