有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于具有高色域,面发光,可视角度大,色域好,耗电低,价格便宜等优点,在显示领域占有的比重越来越多。目前在OLED器件中常用的阳极为氧化铟锡(ITO)。但由于ITO太脆,并且ITO中的金属铟的稀缺,限制了ITO在柔性OLED显示器中的使用。通常ITO的替代电极有石墨烯,碳纳米管,金属纳米线,导电聚合物等。由于银纳米线与石墨烯具有良好的弯曲特性,良好的通过率与导电性,本文选用银纳米线与石墨烯作为ITO替代电极进行研究。本文对银纳米线电极的研究,主要集中在降低银纳米线薄膜的表面粗糙度与降低银纳米线薄膜的薄层电阻。首先,采用多步旋涂法制备银纳米线薄膜,通过不同转速比较,得到最佳旋涂速率。为了降低银纳米线薄膜的表面粗糙度,我们在银纳米线表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为平坦层,之后施加压力压印,使银纳米线表面粗糙度从42.9nm降低至4.88nm,最后,为了降低银纳米线薄膜的薄层电阻,我们使用等离子体进行处理,经过等离子体处理,银纳米线电极薄层电阻从50Ω/sq降低至20Ω/sq。经过多次弯曲与胶带粘贴测试,银纳米线薄层电阻变化不大。使用未经过处理的银纳米线作为阳极制备的OLED器件,在较低电压发生了击穿,并且亮度较低。使用经过旋涂平坦层PMMA压印,之后使用等离子体处理的银纳米线作为阳极,制备OLED器件,之后测试OLED器件性能。OLED器件的L-V曲线与C-V曲线光滑,随着电压增加未发生击穿,并且发光情况良好。鉴于旋涂PMMA压印,之后经过等离子体处理对银纳米线电极性能的提升,我们相信该方法能用于改善银纳米线电极性能。石墨烯由于具有较高透过率,良好的可弯折性,优异的电导性,价格便宜等优点被作为ITO替代电极被广泛研究。由于石墨烯具有较高薄层电阻,并且在转移过程中容易造成石墨烯损坏,导致石墨烯表面粗糙度较高,不利于OLED器件制作。本文对石墨烯电极的研究,主要集中在降低石墨烯薄膜表面粗糙度与降低石墨烯薄膜的薄层电阻。本文使用化学气相沉积(CVD)制备石墨烯。首先将生长石墨烯的铜箔抛光处理,使生长在铜箔面的石墨烯粗糙度降低,其次通过旋涂PMMA,将石墨烯与PMMA粘紧,之后溶解铜箔,将石墨烯/PMMA转移到PET基底上得到结构为石墨烯/PMMA/PET的电极,最后滴涂硝酸使石墨烯电极薄层电阻降低。经过多次弯曲测试,石墨烯电极变化不大。使用滴涂硝酸的石墨烯/PMMA/PET电极为阳极制备OLED器件,经过测试,得到OLED器件亮度良好。实验结果表明,对铜箔进行抛光处理制备得到的石墨烯/PMMA/PET电极,之后滴涂硝酸,能有效改善基于石墨烯电极的OLED器件性能。