【摘 要】
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第一部分:1.研究了垂直场量子阱器件的读光、写光与衍射效率的关系,首次给出了最佳光强条件.揭示了光强对垂直场器件与平行场器件的不同的影响机制.2.研究了垂直场器件的瞬态
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第一部分:1.研究了垂直场量子阱器件的读光、写光与衍射效率的关系,首次给出了最佳光强条件.揭示了光强对垂直场器件与平行场器件的不同的影响机制.2.研究了垂直场器件的瞬态特性,发现了一些新的实验现象,这是Notle的阻容模型所不能解释的.研究人 员提出了改进的阻容模型,并很好地解释了电吸收信号的时延特性及信号幅值大小与光强的关系.最后,就器件性能的提高提出了一些合理建议.第二部分:实现了LD泵浦Cr,Nd:YAG946nm微片激光器的运转,产生了自调Q的946nm激光,半高宽为4.2ns,峰值能量为0.5μJ,峰值抖动率小于1﹪,在没有聚焦的情况下,用一个5×5×6mm的KnbO<,3>晶体得到了单纵横、基横模的473nm脉冲兰光输出.
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