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本文采用电化学沉积法在铟锡氧化物导电玻璃（ITO）基底上沉积一层垂直有序的ZnO纳米棒阵列，并通过对其在碱液中进行电化学腐蚀得到了ZnO纳米管阵列。以ZnO纳米管阵列为基础，在其上电沉积一层适当厚度的CdTe纳米颗粒薄膜，形成一种核壳式结构，随后继续电沉积一层适当厚度的p型P3MT，最终得到一系列基于ZnO纳米管阵列电极。通过SEM、TEM、HRTEM、EDS、XRD对电极材料的形貌、结构和组成进行了测定、分析，并采用紫外可见吸收光谱仪和光电性能测试仪对不同电极的光电性能进行研究。将CdTe/ZnO、P3MT/CdTe/ZnO等一系列电极组装成电池，研究了不同厚度的CdTe和P3MT对电池光电性能的影响。研究表明：基于CdTe/ZnO电极的电池中，当沉积CdTe的时间为1.5h时，电池性能最佳，其光电转换效率达到了0.89%，CdTe起到了很好的敏化效果；当在CdTe/ZnO电极上沉积一层P3MT后，电池性能明显改善，P3MT沉积时间为2min时，光电转换效率最大为1.20%，与单纯的CdTe敏化电池相比，效率提高了近35%。经P3MT杂化后的电池性能的改善很大程度上归因于在CdTe和P3MT的界面处形成的p-n异质结。p-n结利于光生电子空穴对的有效分离，降低其复合机率。通过对P3MT/CdTe/ZnO电极的线性扫描，证实了在CdTe与P3MT界面处p-n结的存在。作为一种新型的p型半导体，Cu2O近年来被引起了广泛的关注。本文在ZnO纳米管阵列的基础上电沉积一层Cu2O纳米颗粒，形成了Cu2O/ZnO核壳式纳米结构阵列电极。通过SEM、HRTEM和XRD对电极材料的形貌结构进行了表征分析，采用光电性能测试仪对电极的光电性能进行了研究。结果表明，Cu2O为立方颗粒，粒径的大小随沉积时间的延长而增大，由几十纳米至几百纳米不等；电极的光电性能随Cu2O沉积时间的延长先提高后降低，当Cu2O沉积电荷量为1C时，电极的光电性能最佳。对Cu2O/ZnO电极的线性扫描的结果表明，在ZnO与Cu2O界面处形成了p-n异质结。此外，将Cu2O/ZnO纳米管阵列电极与Au/Cu电极组装成了全固态太阳电池，并初步测得了其光电转换效率为0.013%，对如何提高这类电池的光电性能仍然需要做进一步的研究。