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近年来,功能金属氧化物由于其特殊的物理性能引起了研究者越来越多的关注,SnO_2就是其中最关键性的材料之一。SnO_2是一种n型宽带隙氧化物半导体,其禁带宽度Eg=3.6eV(300 K),在染料敏化太阳能电池、锂电池、透明传导电极和气敏传感器等方面已得到广泛应用。在气敏传感器中, SnO_2由于对许多不同的气体有高的灵敏度和化学稳定性,因此已经成为最重要的气敏材料之一。而且纳米结构的半导体SnO_2,具有大的比表面积、高的表面活性,能显著提高其气敏性能。因此利用纳米技术改进气敏传感器的性能