军事、航天领域通信接收机小型化发展的趋势以及无线通信中数据速率的不断提高,对通信接收机的带宽和线性度提出了更高的要求。低噪声放大器作为通信接收机的关键器件,基本决定了接收机的带宽和线性度。GaAs MMIC低噪声放大器具有能够覆盖所有的通信带宽和高线性度的特点,满足了现代通信的需求。本文采用GaAs MMIC技术对超宽带低噪声放大器进行了探索和研究。本文首先介绍了GaAs MMIC技术的发展历程、优势及应用前景,完成了宽带MMIC低噪声放大器国内外研究情况的调研。接着重点分析了GaAs MMIC的关键工艺以及pHEMT晶体管和无源器件的工艺结构和模型,并对MMIC低噪声放大器的相关理论进行了必要的回顾。然后,对比研究了OMMIC ED02AH和Win PL.15工艺中pHEMT晶体管特性,确定了本文采用的工艺线、电路的级数和pHEMT晶体管的参数。最后,本文从原理图的设计、蒙特卡罗分析、版图的优化等方面具体论述了6-18GHz MMIC低噪声放大器设计流程,同时给出了芯片的版图和仿真结果。结果表明,在6-18GHz频带内,噪声系数小于2.2dB,增益为22.7±1dB,输入输出驻波比小于2,P1dB大于11dBm。