锆钛酸铅基（PZT）材料在压电材料及其应用领域中一直占据着主导地位。然而，铅的毒性很高，随着人们对生存环境质量要求的逐步提高、国际环境保护呼声的日益高涨，目前，作为无铅材料的碱金属铌酸盐备受压电材料研究领域关注。本文主要进行了NaNbO₃-KNbO₃二元体系的助熔剂法晶体生长、陶瓷晶粒异常长大以及坩埚下降法晶体生长研究。助熔剂法生长出NaNbO₃、0.85K_0.5Na_0.5NbO₃-0.15SrTiO₃（0.85KNN-0.15STO）晶体；研究了KNbO₃、K_0.5Na_0.5NbO₃（KNN）、0.85KNN-0.15STO陶瓷的晶粒异常长大行为；坩埚下降法生长出KNbO₃单晶。 采用NaCl和Na₂CO₃作复合助熔剂，结合回熔、坩埚套装方法，在高纯氧化铝刚玉坩埚中生长出毫米大小的常温反铁电体NaNbO₃晶体；晶体出现二维层状生长。生长的0.85KNN-0.15STO晶体时，改用K₂CO₃和Na₂CO₃的复合助熔剂，晶体尺寸为70μm左右，晶体生长速度慢，且以二维多核生长机制为主。实验中热力学数据的欠缺，限制了回熔、坩埚套装工艺对晶体成核控制的效果发挥。 在套装的双坩埚中提供一个K₂CO₃气氛，1015℃保温1小时，制备出的KNbO₃陶瓷，微溶于水，密度为其理论密度的92.6％；陶瓷晶粒生长速度慢，容易晶粒异常长大。KNN晶粒容易均匀长大，限制了KNN的晶粒异常长大；延长保温时间、提高保温温度、在陶瓷片表面引入KNbO₃粉末，均未发现KNN陶瓷的晶粒异常长大。在KNN的配料中引入15mol％的SrTiO₃后，球磨20小时的试样中发现陶瓷晶粒异常长大，球磨60小时的试样中未发现晶粒异常长大；埋入实验中生长的NaNbO₃晶种后，晶种在烧结阶段反应溶化，未发现晶粒异常长大。 采用K₂CO₃和Nb₂O₅为原料，以52∶48的K₂O／Nb₂O₅摩尔比配料，垂直方式下降高纯氧化铝刚玉坩埚，生长KNbO₃单晶，发现：1)温度梯度为1.2℃／mm，下降速度为0.5mm／h，并加以10转每分钟的正反转，2)温度梯度为4℃／mm，下降速度为0.5mm／h，并在坩埚托套底部穿孔来控制晶体的成核，上述两种工艺均生长出蓝黑色的KNbO₃单晶，尺寸为几个毫米，晶体多畴；熔体与刚玉坩埚发生反应，且凝固熔体不易与坩埚分离；托套底部穿孔设计可有效控制晶体成核。