【摘 要】
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纳米半导体材料,由于其量子尺寸效应,量子干涉效应,量子隧穿效应和非线性光学效应等,是新一代量子器件的基础,在纳电子学和光电学等方面有着重要的应用前景.在晶格错配系统,
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纳米半导体材料,由于其量子尺寸效应,量子干涉效应,量子隧穿效应和非线性光学效应等,是新一代量子器件的基础,在纳电子学和光电学等方面有着重要的应用前景.在晶格错配系统,通过Stranski-Krastanov(S-K)生长模式制备自组织量子点已引起极大的注意和兴趣,原因在于这些无缺陷的量子点将导致纳米光电学等的重大发展.在量子点生长的初始阶段,它在衬底上的成核是无序的,因此量子点的大小、密度与分布在空间难以控制.通过S-K模式要制备出实用的量子器件,就必须在理论上清楚的知道量子点的应力与应变分布,在实验上加以控制,实现量子点的可控生长.首先,该文在各向同性弹性理论的假设下,探讨了理想简单化的二维、一维与零维半导体材料量子阱、量子线与量子点的应力与应变分布,并讨论了它们应力应变分布之间的差异.其次,根据实验,我们应用弹性理论有限元方法,对不同厚度浸润层的InAs/GaAs金字塔形量子点的应力与应变分布进行了系统的计算.
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