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近年来随着市场竞争的激烈以及TFT-LCD技术方面的不断发展,画面品质(开口率、串扰等)的提升已经成为TFT-LCD企业的首要问题。而为了在画面品质方面有很大的提高,都不断地在技术能力方面进行完善,以此来适应市场的需要。因此,画面品质已经成为TFT-LCD在显示领域的持续发展方向。本文重点对改善垂直串扰进行研究,为今后出现的相关问题提供参考。1.在对氮化硅沉积条件进行的分析与研究中,充分分析参数条件变化对薄膜质量的影响情况：(1)随着温度的增加,成膜的速率增加,氮化硅薄膜的折射率也随着温度的增加而增加；膜的均匀性随温度的增加先变好后变差。(2)射频功率越大,成膜速率越快,而且沉积下来的氮化硅膜结构致密,膜的折射率减小,但是射频功率不能过大,否则沉积速率过快,导致膜的均匀性降低,结构疏松,钝化性降低；(3)随着压力增加,沉积速率增大,反应压力要大于1000mtorr保证等离子体在特定结构的反应器中能够正常且稳定的辉光放电；而且从实验得到的数据显示,压力高于1500mtorr时,氮化硅薄膜的均匀性很差,对成膜的质量有很大的不良影响,并且压力对折射率的影响不大。(4)随着SiH4/NH3的增加,成膜速率也随着增加,但是随着其比例的增加成膜速率的增加变的缓慢,而且为了确保设备正常工作,这个比例应小于240sccm/720sccm;膜的折射率也随着SiH4/NH3的增加而增加,同时,均匀性也有变好的趋势。2.在分析PVX钝化层对TFT特性及阵列结构的影响研究中,在Resin层与S/D层之间加有PVX钝化层,能够起到一个连接过渡的作用,改善了Resin与S/D金属之间直接连接而产生的断层现象；而且当厚度为300A左右的情况下,能够得到较小的漏电流,改善了TFT特性,减小了因TFT漏电而产生的垂直串扰的可能性。3.我们通过对像素结构设计的改变,在工艺允许的情况下,增加Resin厚度、减小Resin材料介电常数或者减小Data与像素电极ITO之间Overlap值,可以达到改善垂直串扰的目的。在实际的测试中将Resin厚度从3μm降到2.5μm,垂直串扰从5.1%降到2.9%。