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抗辐射静态存储器的研究与设计
【摘 要】
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随着集成电路特征尺寸的不断减小、工作电压的不断降低,空间环境中存在的各种辐射粒子对半导体器件产生严重的威胁。产生的各种辐射效应(单粒子翻转效应、单粒子闩锁效应、总剂量效应等)可能会导致电子器件的失效,对系统造成严重的威胁。静态存储器(SRAM,Static random access memory)具有速度快、功耗低等优势,被广泛的应用到各类航天器中。因此SRAM不仅需要保证其自身的功能和优势,也
【机 构】
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电子科技大学
【出 处】
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电子科技大学
【发表日期】
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2019年12期
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