近年来,钙钛矿量子点作为一种先进的半导体光电材料受到广泛关注,其中全无机卤素钙钛矿（CsPbX3,X=Cl,Br,I）量子点更是凭借其优良的光学性能,如发射波长易于调节,颜色纯度高、色域宽,缺陷容忍度高以及光致发光量子产率高等,引发一股研究热潮,有望应用在多种光电器件领域。但是,由于CsPbX3量子点离子晶体的本质以及其表面极易产生缺陷,CsPbX3量子点的稳定性普遍较差,限制了其在光电器件领域中的发展。因此,如何在提高CsPbX3量子点光学性能的同时提高其稳定性是目前亟需解决的难题。本研究采用表面修饰和无机包覆对CsPbX3量子点表面进行改性,通过不同合成方法成功制备出一系列不同种类的CsPbX3纳米晶,不仅提高了光学性能,稳定性也大幅提升,并且制备出白色发光二极管。论文主要研究内容与创新点如下:（1）设计出一种新型溴季铵盐配体,结合室温过饱和重结晶法成功制备出CsPbBr3量子点。该CsPbBr3量子点呈立方相,发射峰半峰宽仅为17 nm,光致发光量子产率高达95%。采用该量子点结合传统的硒化镉量子点成功制备出白色发光二极管（WLED）,色坐标为（0.29,0.31）,与标准WLED色坐标（0.33,0.33）极为接近,且覆盖了美国国家电视标准委员会制定的色域范围130%;（2）采用表面修饰后处理方式,探究含巯基配体对CsPbI3量子点的影响,采用正十八硫醇修饰通过热注入法合成量子点制备出高稳定性高光学性能CsPbI3量子点。相较未经正十八硫醇钝化的CsPbI3量子点,钝化后的量子点不仅光致发光量子产率提升近一倍,其室温稳定性以及抗紫外照射能力大幅提升;基于密度泛函理论的第一性原理计算结合实验结果分析可知,正十八硫醇的表面钝化效果优于传统配体;（3）将各种配比的铅卤盐（PbX2）以及铯卤盐（CsX）结合阳极氧化铝（AAO）薄膜,通过高温烧结方式制备出包覆在AAO膜中的CsPbBr3纳米棒,其发射峰为518nm,半峰宽为20 nm,光致发光量子产率高达50.76%,同时稳定性得到大幅提高。因为CsPbBr3纳米棒被稳定且致密的AAO膜完全包覆,与外界环境隔绝,即使在水中浸泡48 h,其荧光强度仍能维持初始状态的95%以上。该样品优越的稳定性及出色的光学性能使其有望在光电器件领域得到应用。