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随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带半导体材料已经成为半导体材料研究的热点之一。GaN和Ga203都是良好宽禁带半导体材料,其中GaN作为第Ⅲ代半导体材料的典型代表则被认为是制造蓝光二极管和大功率光电子器件最为理想的材料,其研究备受瞩目；而Ga203作为一种金属氧化物半导体材料,在气敏传感器、紫外探测器、深紫外透明电极以及太阳能电池等方面都有很好的应用潜力。只有获得大量均匀、清洁且尺寸、结构和成分可控的低维纳米材料,才能有效地研究其性质,进而将其组装成纳米器件。但是,目前对在Si基体上GaN和Ga2