在现代科学技术中压电材料被广泛研究,成为当前国内外研究的热点材料之一。PbZr_x Ti_（1-x）O₃（PZT）基化合物作为传统的压电陶瓷材料,由于其优越的压电性能与温度稳定性被众多学者研究,但由于PZT材料本身含有有毒物质Pb,会对环境产生严重的负面影响,促使人们开展无铅压电陶瓷材料的研究。钛酸铋钠（BNT）陶瓷是在室温下具有三方结构的无铅压电陶瓷。近年来,很多小组对BNT进行A位和B位元素掺杂,为的是降低三方相到四方相的温度。通过降低转变温度,在室温附近得到一个较宽的共准相界区域,以此来提高材料的介电温度稳定性。目前,由于纯的钛酸铋钠陶瓷室温下的矫顽场较大,铁电相区电导率较高,很难被极化。针对这些问题我们开展了如下研究,主要是在BNT基材料的A位和B位分别掺杂来取代部分离子,通过这种方法来改善其综合性能。采用了传统的固相合成的方法,制备了以下的体系:(Bi_0.5Na_0.5)_1-xYb_xTiO₃（BNT-xY,x=0,0.015,0.03,0.05,0.08）、(Bi_0.5Na_0.5)_0.95Yb_0.05Ti_1-xZr_xO₃（BNT5Y-xZ,x=0.05,0.07,0.1,0.13）以及(0.94Bi_0.5Na_0.5TiO₃-0.06BaTiO₃)-xTa₂O₅（BNT6BT-xT,x=0,0.005,0.01,0.02）无铅压电陶瓷。本论文通过研究XRD、Raman、扫描电镜、介电性能、铁电性能,探讨了BNT基陶瓷的组分、结构与性能之间的关系。结果表明:（1）采用传统固相反应法对(Bi_0.5Na_0.5)_1-xYb_xTiO₃体系进行研究,通过Rietveld精修,发现Yb³⁺占据了BNT的A位。而且,当掺杂量x=0.05时,样品在高于120°C的区域较宽范围内有良好的温度稳定性,在119°C至435°C内,介电常数变化小于10%,而在127°C²45°C内,介电损耗低于0.025。（2）合成了(Bi_0.5Na_0.5)_0.95Yb_0.05Ti_1-xZr_xO₃体系的无铅压电陶瓷,其中分别用Yb³⁺掺杂A位,Zr⁴⁺掺杂B位。发现随着Zr⁴⁺含量的增加,介电常数逐渐增大而损耗维持不变,而且温度稳定性好。Zr⁴⁺离子的掺杂抑制了样品中氧空位的迁移。（3）制备了(0.94Bi_0.5Na_0.5TiO₃-0.06BaTiO₃)-xTa₂O₅体系的无铅压电陶瓷,随着Ta⁵⁺含量的增加,介电常数逐渐减小,铁电相到反铁电相的转变温度逐渐降低。当x=0.02时,介电常数的最大值维持在4000左右,损耗在室温到200°C区间内都小于其他样品。Ta⁵⁺的掺杂扩展了样品的反铁电相区,使得材料变得十分“柔软”。