【摘 要】
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以SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为原料，采用化学共沉淀法水相制备锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米导电粉体。系统研究了共沉淀温度、掺锑浓度、滴定终点pH值、分散剂种类以及煅烧温度等对粉体粒径及电学性能的影响规律，对实验结果进行了讨论，优化实验条件，并进行了综合实验研究。运用差热-热重分析(DTA-TG)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等现代检测手段对微粉进行了表征。 实验将纳米A
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以SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为原料，采用化学共沉淀法水相制备锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米导电粉体。系统研究了共沉淀温度、掺锑浓度、滴定终点pH值、分散剂种类以及煅烧温度等对粉体粒径及电学性能的影响规律，对实验结果进行了讨论，优化实验条件，并进行了综合实验研究。运用差热-热重分析(DTA-TG)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等现代检测手段对微粉进行了表征。 实验将纳米ATO粉体进一步深加工制备成分散稳定的纳米ATO导电涂料。通过粘度测定和沉降实验，讨论
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