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近年来我国航天事业迅速发展，对抗辐射集成电路的需求也在不断的增加。存储器作为集成电路的重要组成部分，在长期空间使用中很容易发生总剂量效应。SRAM不仅作为最基本的存储器之一被广泛使用，而且还作为高速缓冲存储器和寄存器堆栈被嵌入微处理器等核心器件中。因此SRAM的抗辐射性能决定着航天器和卫星的控制系统电路的稳定性，开展对SRAM的总剂量效应研究非常有必要。本文从半导体器件中最常用的硅材料出发，研究了SiO2氧化层受辐照损伤机理和辐照效应。从MOS管的结构和功能出发，得出辐照对MOS管的总剂量效应影响。结合SRAM的单元结构和功能分析得出SRAM的总剂量效应敏感单元是存储阵列和敏感放大器，SRAM辐照下失效的最劣偏置是静态偏置。设计出SRAM总剂量辐射效应试验的测试方案和测试系统，通过试验证明静态偏置是SRAM的总剂量效应最劣偏置。