功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件,在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。VDMOS是80年代以来应用范围最广的功率器件之一。VDMOS和双极晶体管相比具有开关速度快、开关损耗小、频率高等优点。本文通过VDMOS的电参数来确定其结构参数。通过击穿电压来确定外延层的厚度和电阻率,同时在外延层较薄时确定P-body的尺寸。通过阈值电压来确定栅氧的厚度和P-body的浓度。由饱和电流的表达式可知元胞的最大通态电流。导通电阻和击穿电压是两个相互矛盾的参数,增加击穿电压和降低导通电阻对器件尺寸的要求是矛盾的。P岛之间的距离不能太大,使相邻P-body的耗尽层不能互相保护,也不能太小,将相邻的P岛导通。在综合考虑了各种因素后确定器件的尺寸。根据计算的结果应用MEDICI软件进行器件仿真,修正器件的尺寸。用TSUPREM 4软件进行仿真,主要优化其工艺条件,必要时修改器件尺寸。根据实际工艺和TSUPREM 4软件之间的差异,在工艺仿真条件的基础上得到器件研制的最终工艺参数以制造器件。根据流片后的参数,有个别参数不符合设计指标,分析其原因后,更改离子注入的剂量和能量等工艺参数,使最终的产品参数达到设计要求值。然后对芯片进行封装和质量一致性检验,发现漏气、多余物等问题并加以改进。