【摘 要】
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该文发展了法诺组态相互作用理论,用于探讨半导体Ⅱ类量子阱中的异质自电离过程及其所形成的法诺态结构,并首次研究了用准分立近似处理连续能带时法诺态中所出现的汇聚现象.
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该文发展了法诺组态相互作用理论,用于探讨半导体Ⅱ类量子阱中的异质自电离过程及其所形成的法诺态结构,并首次研究了用准分立近似处理连续能带时法诺态中所出现的汇聚现象.该文首次尝试创立了两个连续谱之间的组态相互作用及其法诺态的理论.该文推导和建立了半导体Ⅱ类量子阱中全量子理论的密度矩阵主方程,并发展了求解主方程较为严格的波函数法.在此基础上探讨了单自电离能级系统与半导体Ⅱ类量子阱中光吸收谱和光发射谱以及无反转增益问题,及其实现的条件.指出在半导体Ⅱ类量子阱中,光吸收谱和发射谱与法诺态的汇聚现象有内在的联系,法诺参数较大时单电子受激光发射几率大于光吸收几率,解脱了爱因斯坦关系的限制,因而可实现无粒子数反转光增益.
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