在现今的社会中，无线移动通讯技术和设备正在飞速的发展。CDMA等先进通讯方式的出现和日益普及需要大量的用于高频段的高性能集成电路产品。利用SiGe材料制成的异质结双极晶体管（HBT）和在其技术基础上发展出来的SiGe BiCMOS技术是目前最受人瞩目的通讯集成电路实现方式。并且以其优异的性能和低廉的生产成本，日益成为高频集成电路电路的首选。本文就我室在SiGe异质结电子学和器件、电路研制方面的研究成果进行了较为深入的讨论。 介绍了SiGe异质结电子学的基本物理学基础，并对SiGe材料的生长 方法（MBE，UHV/CVD作了简单介绍。 详细分析了SiGe HBT的工作原理、性能优势和基本的设计方法。并 纵览了当今国际上关于SiGe技术的最新研究成果。 详细阐述了我室研制的SiGe HBT的设计方法、思路和制作工艺流程， 并对部分样管的直流和交流特性进行了较为详细的测量和分析。 进一步对SiGe HBT的交直流特性进行了测量，并将其用于PSPICE 的模拟计算。并由此设计出了双极和单级集成电路的电路形式、版图 和工艺流程。 在现有的3μm的工艺线上，进行了单级放大器集成电路的工艺实施， 积累了一定的工艺经验，得到了较为满意的直流特性和交流特性。并 提出了改进电路和工艺设计的建议，为今后继续完成两级电路的实验 研究打下了一定的基础。