【摘 要】
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本文在实验文献的基础上，提出了一个简化的用氮气轰击石墨靶而生成碳氮膜的模型。当氮气轰击石墨靶时产生CN和N，它们在反应室的气相中并不反应，在到达衬底后才在衬底的表面上反
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本文在实验文献的基础上，提出了一个简化的用氮气轰击石墨靶而生成碳氮膜的模型。当氮气轰击石墨靶时产生CN和N，它们在反应室的气相中并不反应，在到达衬底后才在衬底的表面上反应沉积形成薄膜。对应于三种薄膜结构，我们首先列出了一些可能的生长反应式，然后计算它们的反应吉布斯自由能，由此选出分别对应生长三种结构最可能的反应式。它们是：1. 生成?-C3N4结构，6nCN(g)+6nN(g)=nC6N12(s)；2. 生成P-C3N4结构，3nCN(g)+3nN(g) =nC3N6(s)；3. 生成-(C2N2)n-结，：2nCN(g)=-(C2N2)n-(s)。在此基础上我们提出了一个用磁控溅射法生成?-C3N4的简化模型。由这个模型所作的计算可以更有效地指导我们的试验工作，从而在未来制备出性能优良的碳氮膜。
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