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有机电致发光二极管(OLEDs)已经逐渐走入人们的生活,如最近的苹果手机iphone X采用的OLEDs显示屏,目前OLEDs器件的内量子效率已经接近100%,但是OLEDs器件的光只有20%能够出射,因此,光耦合输出成为了研究热点,传统OLEDs器件采用氧化铟锡(ITO)作为透明阳极,因ITO折射率较高,大入射角的光从ITO入射到玻璃基底时产生全反射,导致有将近50%的光被限制在金属阴极及ITO之间,另有将近30%的光因全反射被限制在玻璃基底中。导致耦合输出效率较低的关键因素是低折射率的玻璃基底及高折射率的ITO阳极,为了解决这一问题,将光从OLEDs器件内部释放出来,本文采用仿真与实验相结合,通过仿真寻找提升耦合输出效率的新型器件结构并优化参数,实验上制备出相应OLEDs器件对仿真得到的器件结果加以验证,采用银薄膜及银纳米线(AgNW)薄膜替代ITO制备了OLEDs器件。本文的出发点和研究内容如下:(1)传统采用实验制备OLEDs器件来优化高效率器件参数耗时、耗财、耗力,导致新型器件结构研发效率低下。本文采用FDTD Solutions软件设计新型OLEDs器件结构并进行光学仿真,仿真计算银薄膜透明阳极OLEDs器件的基底折射率、银薄膜厚度及发光位置如何影响器件中各模式光的占比,为高效率的银薄膜OLEDs器件制备提供了理论指导。通过在实验上制备银薄膜阳极的OLEDs器件,实验验证仿真,发现通过仿真可以较为准确反映实际器件性能随器件结构参数而变化的规律。银薄膜厚度为20nm,电压为8V左右时获得最高电流效率为5.3cd/A,最高亮度达到57596cd/m2。另外,设计仿真了顶发射OLEDs新型器件结构,研究了不同出光面覆盖层结构对器件耦合输出效率的影响。(2)针对纯Ag NW薄膜稳定性差导致制备的OLEDs器件出现闪灭而无法工作的问题,本文提出一种采用金属氧化物溶胶-凝胶处理纯Ag NW薄膜的方法,获得了高热稳定性、高基底粘附性的复合Ag NW透明导电薄膜,对其基底粘附性强的内在机理进行了分析研究,揭示了其内在机理。(3)针对ITO折射率高将大量光限制在OLEDs器件中这一问题,本文提出采用Ag NW薄膜替代ITO作为阳极,并在玻璃及柔性PET基底上制备出能够稳定工作的OLEDs器件。PET基底相对玻璃基底在电流效率上提高了32%,玻璃基底器件电流效率最高达到4.3cd/A。