近年来,二维层状材料因其独特的电子性质和光学性质成为下一代纳米光电器件应用的热门材料。石墨烯由于零带隙的限制,依然在短期内无法实现大规模应用。与之不同,TMDCs包括半导体性质和金属性质的两类,具有带隙大、自旋谷极化和超导等特性,特别是单层MoS2,它是TMDCs的典型代表,最薄的直接带隙半导体。与传统的硅基半导体相比,单层MoS2薄膜被认为是下一代电子器件和集成电路的替代材料,同时也在能源催化、集成电路、光学以及电子器件等诸多领域有着非比寻常的潜在应用价值。然而,要实现具有理想质量和光电性能且满足实际应用要求的MoS2薄膜的可控制备,仍然存在巨大的挑战。本文使用常压CVD方法通过不同的实验方案,实现了 MoS2单层连续薄膜、取向一致的单晶薄膜以及不同衬底上单双层薄膜的可控制备,分别研究了生长过程中各参数对薄膜生长的影响,探究了生长机制以及相关性质。本项工作主要内容如下:首先,采用空间受限的APCVD方法,调整反应空间降低前驱物的浓度和流速,有利于降低薄膜的成核密度和生长速率,持续提供充足的Mo源,促进MoS2连续薄膜的形核和横向生长。生长过程中少量的NaCl降低了反应的温度和成核密度,提高了反应的速率和形核质量。在MoO3均匀混合一定量NaCl的前提下,750℃的生长温度确保生长的薄膜为单层且尺寸尽可能地大,与此同时保持一定的生长时间才能从单晶薄膜生长合并成为连续薄膜。且空间受限制备连续薄膜的方法具有通用性。另外,完整稳定地转移薄膜后,发现在薄膜生长过程中引入了应变。其次,在c面蓝宝石上成功制备出取向高度一致的MoS2单晶薄膜,三角形MoS2的一个边缘始终沿着c面蓝宝石[11-20]晶向。高温退火使蓝宝石表面重构出现原子级台阶,台阶方向沿[11-20]晶向,其边缘与MoS2的一个边有强耦合作用因而引导取向一致;另外,前驱物S/MoO3达到一定比例时,由于表面蒸气过多,生长初期形成小的MoS2晶粒与衬底之间的vdW相互作用会使其发生旋转,所以反应物比例和晶格匹配也在取向一致MoS2的生长中发挥着重要作用。而且由于MoS2与衬底间较强的范德华作用力,取向一致的MoS2光致发光强度明显低于取向随机的MoS2。此外,取向一致MoS2薄膜的形貌对生长温度具有很大的依赖性。最后,在SiO2（300 nm）/Si以及c面蓝宝石上制备了 MoS2单双层薄膜。因为生长衬底热膨胀系数的不同,在生长过程中衬底对薄膜材料引入的应变类型是不同的。根据拉曼光谱和光致发光光谱测试结果,SiO2（300 nm）/Si衬底热膨胀系数小于MoS2薄膜,所以引入了明显的拉伸应力,并且具有层间耦合的双层薄膜,应变情况弱于单层MoS2薄膜。蓝宝石衬底的热膨胀系数略大于MoS2薄膜,在光谱测试中观察到了微弱的压缩应力。