随着武器装备、航空航天、电子通信等技术的不断发展进步,对片式钽电容器提出了越来越高的要求,大容量、高电压是片式钽电容器未来的发展趋势。为适应不同的应用环境和条件,要求电容器在不同温度下电参数稳定可靠。片式钽电容器的电参数主要为:电容量(C)、漏电流(I)、损耗角正切值(tgδ)及等效串联电阻(ESR)。对于大容量片式钽电容器,由于CV积的要求,需要钽粉的比容值较高,钽芯子尺寸大。为保证其电参数在不同温度下的稳定性,对混粉、成型、烧结、形成、被膜等工序提出了更高的要求。本文通过对大容量片式钽电容器高低温性能的系统研究,寻求出改善其高低温性能稳定性的方法。所取得的主要研究成果为:1.对大容量片式钽电容器的电参数在不同温度下变化规律进行了研究:-55℃~125℃工作区间内,钽电容器的电容量随着温度的升高而变大,漏电流值随着温度的升高而增大,损耗角正切值以某一温度为节点随着温度的升高或降低都会增大,等效串联电阻值随着温度的升高而减小。2.对减小电容量变化率的方法进行了研究:减小电容量变化率的主要方法是提高阴极二氧化锰层的被覆率,其关键在于被膜工序,选择合适的分解条件(温度、蒸汽含量)、调整硝酸锰浸渍液的梯度变化及浸渍次数及添加表面活性剂改善浸渍液的表面活性,从而提高二氧化锰层的被覆率。3.对减小漏电流值变化的方法进行了研究:减小漏电流值变化率的方法就是减少疵点的数量。改善混粉条件提高钽粉的流动性,提高成型压制密度,使成型出的钽块更完整,减少机械加工缺陷;提高烧结温度使钽粉杂质剔除更加彻底;形成工序改善形成液的配方,降低形成电流密度,防止热致晶化的发生,减少疵点的产生。4.对减小损耗角正切值及等效串联电阻值变化的方法进行了研究:降低tgδ及ESR值就要求二氧化锰层均匀致密,且阴极二氧化锰层为导电性好的β型。在被膜过程中选择合适的分解条件、在硝酸锰浸渍液中添加相应的分解催化剂,使分解产生的β型二氧化锰层均匀致密。