巨磁阻抗(Giant Magneto-impedance,简称GMI)效应是20世纪90年代发现的物理现象,该效应具有灵敏度高、饱和磁场较低、响应较快和稳定性好等特点,在磁传感器领域具有广阔的应用前景。本文通过对玻璃钴基包覆非晶丝GMI效应进行详细的测量,分析丝材尺寸以及处理工艺对GMI效应的影响,以期设计一种可以基于虚拟仪器验证的磁场传感器,为研制实用化微型磁传感器打下技术基础。本文研究了不同长度、半径的玻璃包覆钴基非晶丝的GMI效应,获得了巨磁阻抗效应更加明显的材料。受内部退磁能的影响,长度较长的非晶丝表现出更加明显的GMI效应。研究了玻璃包覆层对GMI效应的影响。由于合金与玻璃的热膨胀系数不同,在非晶丝制备过程中会产生残余应力。当玻璃包覆层去掉以后,释放了部分残余应力,改变了材料的磁畴结构。不同的磁畴结构所产生的圆周各向异性的变化,最终导致了GMI效应的变化。在处理工艺方面,采用直流电流退火后处理工艺对非晶丝进行了处理,讨论研究了不同退火电流密度对GMI效应的影响,发现该材料最合适的退火电流密度约为200A/cm2。结合虚拟仪器技术和非晶丝的GMI效应,我们设计了一种弱磁场传感器原型。该原型所显示的结果对研制实用化微型传感器具有一定的指导意义。