天然空间辐射环境中的高能粒子可以导致航天器中的半导体器件发生单粒子效应，进而改变数字电路以及存储单元的逻辑状态，导致航天器发生事故。开展地面的重离子单粒子效应的研究，是研究单粒子效应十分重要的手段之一，对器件抗单粒子效应的加固，提高航天器的可靠性具有十分重要的意义。本文研究了空间辐射环境以及空间辐射环境中的重离子导致InP HBT发生单粒子瞬态效应的机理，对InP HBT器件进行了单粒子效应物理级仿真。通过大量仿真工作找到了InP HBT的敏感区，同时分析了入射重离子在线性能量阈值，入射半径以及入射深度等因素对该效应的影响。论文仿真了同一个InP HBT在不同偏压（1V、3V、5V），不同LET值（0.1pC/μm~0.7pC/μm）条件下的SET，并对仿真结果进行了分析。通过对InP HBT器件的物理级仿真，可以得到影响电路工作的瞬态脉冲电流源，在数字电路中加入该脉冲电流源，进行电路级单粒子效应仿真。