【摘 要】
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沟槽功率MOSFET作为在VDMOS基础上发展起来的一种新型功率MOS器件,拥有更低的导通电阻、低栅极电荷密度,从而有更低的导通和开关损耗及快的开关速度,已经在工业领域得到广泛
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沟槽功率MOSFET作为在VDMOS基础上发展起来的一种新型功率MOS器件,拥有更低的导通电阻、低栅极电荷密度,从而有更低的导通和开关损耗及快的开关速度,已经在工业领域得到广泛应用。掺杂工艺是调整器件电学特性的重要手段,如何从工艺条件优化方面提高沟槽功率MOSFET性能已经成为器件制造过程中的重要课题。本文介绍了沟槽功率MOSFET的制造工艺流程和掺杂工艺的应用,分析了掺杂种类、掺杂量、离子注入能量和注入方式等关键参数对器件电学特性的影响,结合实际生产中遇到的良率和可靠性问题,了解其失效机制,分析掺杂工艺参数的调整对器件电学特性和可靠性测试结果的影响。研究发现,通过改良现有掺杂工艺可以有效调整器件电学特性,提高良率及其稳定性,同时改善阈值漂移等可靠性的问题。
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