【摘 要】
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该系统地研究了Fe/AlO/Fe隧道结的TMR效应及其微结构,以探求微结构对隧道结磁电阻特性的影响.样品采用离子束溅射技术在高真空系统中制备,制备过程中采用由纯Fe和纯Al制成的
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该系统地研究了Fe/Al<,2>O<,3>/Fe隧道结的TMR效应及其微结构,以探求微结构对隧道结磁电阻特性的影响.样品采用离子束溅射技术在高真空系统中制备,制备过程中采用由纯Fe和纯Al制成的金属靶,样品沉积在(111)Si基片上.其中底层Fe膜在250℃下溅射,而上层fe膜的溅射温度为室温,中间的Al<,2>O<,3>层采用Al在空气中氧化获得,根据在空气中氧化时间的不同,研究人员可以得到不同氧化状态的样品.样品的室温TMR效应在0-200Oe的磁场中测量,数值根据△p′〔p(H)-p(o)〕′p(o)计算.样品的两层Fe分别作为两个电极使用,使用恒流源通入恒定电流,同时测量电极两端电压的变化,由此得到磁电阻的变化.在Al层氧化时间为72小时的样品中观察到5.89%的室温磁电阻效应.此外,样品的I-V曲线呈现出三次方关系,为典型的隧穿特性.样品的结构采用X光电子能谱(XPS),原子务显微镜(AFM)和高分辨电子显微镜等方法进行分析.
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