基于热辅助的荧光材料缺陷态调控及其光存储应用研究

来源 :昆明理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fooguo3007
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缺陷态光存储材料作为下一代高密度光存储媒介的理想候选材料引起了研究者们持续的关注。然而目前该类材料仍旧存在着浅陷阱余辉干扰、自身存储容量低、写入波长短等不足,限制了其实际应用。本文拟通过引入热场协同光场写入(热辅助策略)解决上述问题。选择含深陷阱的高密度长余辉发光材料和深陷阱主导分布的光激励发光材料作为研究对象,通过热辅助消除浅陷阱余辉干扰和增强长波长光子写入容量,实现了这两类代表性缺陷态光存储材料在陷阱分布、填充容量和写入波长等性能上的理想调控,推进了它们光存储应用的实用化进程。主要研究内容和结果如下:1.通过高温固相法制备了含深陷阱的高密度长余辉材料Sr Al2O4:Eu2+,Dy3+,利用热辅助技术消除浅陷阱余辉干扰,并研究材料在不同光波长和光功率光激发下的热辅助光存储性质。研究发现在光热协同写入下,其陷阱填充的中心深度可随辅助温度的升高而显著深化,尽管会有浅陷阱残余填充但可通过降低激发功率去有效清除。同时还发现高能光子激发存在热辅助陷阱填充容量增加现象(热增值效应),而低能光子激发表现为热衰减的反常热辅助现象,在此基础上提出了热能增强激发光激发效率或降低激发光退陷阱填充速率的新热增值机理。接着设计并制备了一种含深陷阱且多激发能级的高密度长余辉材料Sr Ga2Si2O8:Mn2+,通过热辅助隧穿效应写入策略解决高密度长余辉材料的浅陷阱填充残余的问题。结果表现出,在通过隧穿通道直接填充深陷阱过程中随着热辅助温度的升高,陷阱填充深度也会不断深化,且伴随热增值现象,表明该策略具有实现无余辉干扰光存储的潜力。2.为更好避免浅陷阱干扰,本部分以深陷阱主导的光激励材料为研究对象,研究热辅助光存储性能。在Y3Ga2Al3O12:Ce3+-Cr3+与Y2Ge O5:Pr3+两种材料中,发现在自旋允许且外层电子跃迁(Ce3+,4f-5d跃迁)情况下的长波长激发热增值容量显著高于宇称禁阻且内层电子跃迁(Pr3+,4f-4f跃迁)的情况;进而探索了不仅具有更深陷阱分布且为外层电子自旋允许跃迁的Ba Si2O5:Eu2+体系的热辅助光存储性能,获得了更好的热增值效果。同时通过构建Ba Si2O5:Eu2+体系能带结构,发现热增值能级已经进入导带,这表明其热增值机理也不在于热离化更多激发态电子进入导带,而是相似于Sr Al2O4:Eu2+,Dy3+的热增强激发光激发效率或降低激发光退陷阱填充效率的机理。3.根据Ba Si2O5:Eu2+及其共掺杂体系卓越的热增值性能,构建并演示了三种热辅助的新型光存储模式。首先,通过进一步结合Yb3+能显著吸收980 nm光子转化成热的性能,设计了Ba Si2O5:Eu2+,Er3+,Yb3+材料,获得了980 nm激光协助写入的点加热高温稳定存储性能。然后,设计了Na YF4:Yb3+,Tm3+/Ba Si2O5:Eu2+,Nd3+复合材料体系,将近红外光转换到蓝、紫光,实现了热辅助下980 nm激光写入信号的光存储模式。最后,通过利用Ba Si2O5:Eu2+,Pr3+和Sr Ga2Si2O8:Mn2+,Yb3+材料存储容量分别调控于热辅助温度和激发功率的特点,设计了Ba Si2O5:Eu2+,Pr3+和Sr Ga2Si2O8:Mn2+,Yb3+复合材料体系,实现了缺陷态光存储材料的强度和波长共复用光存储演示。
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