封装界面连接层作为电子封装结构中的一个薄弱环节,经常受到电、热和机械等复杂载荷。连接层的疲劳被认为是功率模块封装结构的主要失效模式。鉴于纳米银焊膏具有熔点高（961℃）、热导率高、弹性模量低等特点,适用于高温大功率电子封装界面互连。本文提出了一种绝缘栅双极性晶体管（IGBT）模块的可靠性增强的优化封装方法。区别于目前主流商用封装策略,本课题采用电流辅助烧结纳米银焊膏作为芯片连接层,进而使用高熔点焊料代替传统的低熔点Sn Ag3.0Cu0.5焊料作为基板与底板的界面连接材料,显著提高了IGBT模块的热循环疲劳老化抗性。具体研究内容如下:首先,本文阐明了1200-V/50-A IGBT模块设计结构、封装材料选用和封装工艺方法,并采用电流辅助烧结纳米银焊膏作为芯片连接层材料,高温焊料作为基板连接层材料,完成了所提出的1200-V/50-A IGBT模块的封装制备。随后,为了论证封装策略的可行性,本文对比研究了所提出的IGBT模块与同等级商业型IGBT模块的电性能和散热性能。研究表明,在25℃和125℃时,所提出的IGBT模块集电极-发射极饱和电压(Vce（sat）)分别为1.72 V和1.91 V,静态特性和开关特性与同等级商业型IGBT模块一致。这表明所提出封装策略对芯片未造成芯片性能退化,满足封装基本要求。进一步散热性能结果表明,同等级商业型IGBT模块的热阻约为0.407℃/W,而所提出的IGBT模块热阻仅约为0.337℃/W,较之同等级商业型IGBT模块其热阻降低了17.2%。优异的散热性能更进一步验证了所提出封装策略的可行性。最后,针对所提出的IGBT模块与同等级商业型模块,本文开展了高低温快速冲击老化试验（-40℃～150℃）。该试验以IGBT模块热阻增加20%为失效判据,研究了所提出的IGBT模块热阻随老化时间的变化规律,并利用超声波无损检测技术,分析了模块基板—底板界面连接层的高低温快速冲击疲劳失效机理。结果表明,所提出的IGBT模块比同等级商业型IGBT模块的热阻退化更慢,具有优异的热循环疲劳老化抗性。因此,通过采用电流辅助烧结纳米银焊膏作为芯片连接层,进而实现高温合金焊料Sn5Pb92.5Ag2.5代替传统的低温合金焊料Sn Ag3.0Cu0.5作为基板—底板连接层,是一种可行的增强IGBT模块封装可靠性的方法。