本工作首次运用慢电子速度成像方法,对VIB族过渡族元素的电子亲和势进行了精确测定。电子亲和势作为原子和分子负离子的重要物理参数,在物理、化学等诸多领域具有广泛而深远的理论研究意义和应用价值。由于过渡族元素负离子脱附电子的p波行为,导致以往工作中采用的测量电子亲和势的实验手段存在一定限制,无法达到像主族元素一样可观的精度。而本工作采用的慢电子速度成像法能够克服这些限制,获得更高精度的测量结果。运用慢电子速度成像法,将染料激光器光子能量控制在略高于特定跃迁阈值能的范围内,使得脱附电子动能尽可能低,我们能够获得精度更高的阈值能和电子亲和势测量结果。最终,我们得到:铬Cr的负离子电子亲和势为:5451.73（21）cm^-1或者675.928（26）meV;钼Mo的负离子电子亲和势测量结果为6026.85（58）cm^-1或者747.23（7）meV;钨W的负离子电子亲和势测量结果为6584.42（71）cm^-1或者816.364（88）meV,测量精度均优于1cm^-1或者0.1meV。其中Cr和Mo较之前工作的测量精度均有显著提高;W的测量结果对之前采用LPT方法得到的测量结果,起到了佐证与补充的作用。