集成电路飞速发展的今天，随着集成电路制造工艺水平的提升，系统集成度越来越高，以往许多由多颗IC搭建的电路应用，今天都有了单芯片解决方案。单芯片系统SOC（System On a Chip）成为IC产业的热门方向，这些也反过来刺激、促进了IC制造工艺的发展，不断提出新的要求。对于数/模混合电路而言，将工作电压高低不同的器件集成在同一块芯片上，成为日益广泛的应用需求。随着计算机辅助设计CAD（Computer Aided Design）的发展，工艺CAD（TCAD）成为IC制造工艺和器件研究中不可或缺的工具。同真实流片实验相比，具有以下优点：1. 时间短。相对流片动辄以周计的实验周期，计算机模拟通常可以在一两天内得到结果。2. 投资小。相对天文数字的IC制造设备价格，计算机软/硬件的花费微乎其微。虽然目前技术上还有某些不足，仿真结果与测量值还有偏差，但是通过对软件的校正、优化，可以使得其更加精准。更重要的是其对实际实验方向的正确预测可以起到前瞻性、指导性的作用。论文中讨论了常见的高压器件结构，并针对兼容于标准CMOS工艺的几种结构进行了分析和研究。主要工作有：1. 分析了常见高压器件与标准CMOS工艺的兼容性以及相应的工艺改造方案；2. 在一套成熟的0.5 5V Single Poly Double Metal CMOS工艺的基础上，对Double Diffused Drain、Smart Voltage eXtension、LDMOS三种结构，进行模拟实验，调整工艺参数，使之作为新增工艺模块，整合到原有工艺中，并尽量保持原有低压器件特性；3. 对其中的SVX结构进行了流<WP=3>片实验，以量测数据验证了模拟实验。对其他两种结构，通过已有的相同工艺实验的数据加以佐证。并通过对结果的分析，给出针对不同电压要求的工艺改造方案。