利用射频磁控溅射方法制备了具有CoSi2成分的非晶薄膜。分析测试表明，薄膜中元素分布均匀，与靶材成分基本吻合。利用X射线衍射仪（XRD）、差示扫描量热仪（DSC）结合扫描电镜（SEM）能谱分析设备(EDXA) 分析了非晶CoSi2薄膜的晶化和相变过程，结果显示溅射态薄膜为非晶态，薄膜晶化后首先析出CoSi相，随着加热温度的升高，最终转变为CoSi2结构。 通过计算得到钴硅薄膜的自由能-成分曲线，通过曲线可以看出自由能随薄膜组成的变化，根据公切线原理，对溅射态各组分的钴硅薄膜进行了分析，得出了各组分薄膜在溅射态时的稳定态，从理论上说明了溅射态时CoSi2非晶态合金有较低的自由能。研究了Co-Si系非晶晶化温度随成分的变化情况，在不同成分的时候，影响结晶温度的主要因素也不同，主要有MIC, 混合焓和扩散三种原因。通过DSC曲线用非等温动力学方法计算出了CoSi和CoSi2的晶化激活能。经过以上计算分析给出了清楚的晶化反映描述。 研究了薄膜的组织结构及性能，建立了丝织构测量的简易方法，实现了薄膜织构的定量测量。通过对改进的Knuyt模型的推导，结合初始晶粒大小对织构发展的影响，成功的解释了（111）取向织构的优先生长，以及溅射功率，溅射压力，基片温度对于织构的影响，随着溅射气压降低，薄膜中的（111）取向逐渐增强，（220）取向降低；随着溅射功率的提高，薄膜中的（111）织构逐渐增强；而随着基底温度的提高，薄膜中的（111）织构先增强然后降低。