随着微电子机械系统(MEMS)的迅速发展,硅基MEMS滤波器的研究制作逐渐受到学者的高度重视,因为其蕴藏着巨大的市场潜力因此受到学术界的广泛关注。传统的微波滤波器经常因体积较大、不易集成而难以达到技术指标的要求,单片式硅基MEMS滤波器具有体积小、重量轻、插损小、易于集成等优点,是实现RF系统小型化集成化的重要途径。本论文中设计的硅基MEMS滤波器创新性主要体现在SIW技术与硅微技术的结合,采用ICP深刻蚀微机械通孔阵列技术形成硅基衬底的等效金属壁,SIR带线上打入金属通孔而实现谐振结构,输入输出采用共面波导CPW形式,仿真结果表明此滤波器具有体积小、插损低、抑制较好及远寄生的滤波特性。论文还设计了C波段孔耦合微带带通滤波器,介质基板上层是微带信号线下层是接地金属层,由于感性通孔的数量和孔间距的不同可以形成不同长度的谐振腔,文中分别设计了三阶和四阶带通滤波器,依据E面膜片加载和感性通孔的等效分析理论对模型进行了详细分析,此模型的优势在于结构简单、加工方便、性能稳定,有利于平面微带电路的集成。最后用HFSS的仿真结果表明,此种类型的滤波器插入损耗小、带宽较宽、抑制较好、在低频存在传输零点及远寄生等特性,而且根据对比分析,四阶滤波器比三阶滤波器抑制特性要好,但是三阶滤波器的插入损耗要相对低些。最后用矢量网络分析仪对加工的实物进行测试,结果表明测试曲线与仿真曲线有很好的一致性。