K<,2>O6TiO<,2>晶须增强Al基复合材料界面残余应变场的LACBED研究

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该文用大角度会聚束电了衍射(LACBED)方法研究K<,2>O.6TiO<,2>晶须增强Al基复合材料界面附近的残余应变场.由于K<,2>O.6TiO<,2>晶须和Al基体热膨胀系数与弹性模量等的差异,当样品从高温退火冷却到室温时,在界面附近会产生残余应变.残余应变场取决于样品的初始应变.在LACBED衍射图中,靠近界面的HOLZ线由于残余应变所引起的点阵畸变,会发生宽化、弯曲和分裂,变得模糊.以初始应变和欠焦量为可调参数,利用三维有限元方法计算出界面附近的位移场,通过对LACBED实验照片进行拟合确定初始应变.由已知初始应变分析了薄膜样品中的残余应变/应力场和块状样品中的残余应力场.
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