三相电压源型桥式PWM整流器由于其交流侧功率因数高、谐波含量少等优点,广泛应用于各种工业、航空航天等场合。近年来出现的SiC MOSFET功率器件具有阻断电压高、导通电压低、开关损耗低、耐高温工作等特点,对整流器效率的提升以及高功率密度都有重要意义。并且随着SiC器件生产工艺的不断发展与成熟,SiC器件会在越来越多的领域受到关注。合适的驱动电路是正确使用功率器件的前提。与一般的Si功率器件相比,SiC MOSFET对驱动电路的要求特殊,用于高速开关的场合易出现误触发或栅极击穿现象。本文针对一款1200V/120A的SiC MOSFET,根据其开关特性以及应用特点,在电路结构、电阻选取、驱动电压和可靠性等方面综合考虑,设计了SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲测试电路,分析了不同驱动电阻对SiC MOSFET开关过程的影响,为选择合适的驱动电阻提供了依据。将SiC MOSFET应用于三相桥式PWM整流器,并对数字控制系统进行设计。为了提高系统的开关频率,一方面对程序中的SVPWM算法进行了简化,另一方面设计了在自然坐标系下的电流内环和电压外环的控制参数,分析比较了P调节器和PI调节器下的电流内环,选择了P调节器作为电流内环的控制器,分析了电感感值、开关频率和电流环比例系数对交流侧电流稳态误差、动态性能的影响。建立了三相桥式PWM整流器的损耗模型,包括功率器件的导通损耗、开关损耗和滤波电感损耗,给出了计算方法和计算公式,对相同功率等级的SiC MOSFET和Si IGBT在不同开关频率下的损耗和系统效率进行对比分析。最后设计完成了全数字控制的5kW三相桥式PWM整流器原理样机,介绍了硬件和软件的设计,并以此样机为平台进行了实验,实验结果与理论和仿真分析相吻合,有效地验证了分析的正确性。