磁控反应溅射制备VO<,2>薄膜研究

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  本文采用磁控反应溅射沉积,并结合热处理的方法制备了二氧化钒薄膜, 通过多个样品对比分析,研究了磁控溅射方法制备薄膜的主要工艺参数(反应气体分压、衬底温度、溅射功率等)对薄膜组分和性能的影响。  用两种热处理方法制备了二氧化钒薄膜:a.在常温衬底上反应溅射制得高价态的氧化钒薄膜,再对其进行热处理,使其还原变成低价态的二氧化钒薄膜;b.在加热衬底上,通过控制衬底温度和反应气体分压,直接溅射制备出二氧化钒薄膜。用XRD、XPS、AFM对氧化钒薄膜的结构相、组分、表面形貌进行了分析。XRD和XPS测量结果显示在衬底温度480℃和氧分压为8.1﹪条件下制备得到的薄膜成分主要是二氧化钒相。测量二氧化钒薄膜样品的光学和电学性能。
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