在功率系统中,小的正向开启电压、低反向漏电流、高开关速度和高反向击穿电压是一个良好的整流器件需要具备的条件。对于SiC功率二极管来说,目前的研究重心在SBD、PiN与JBS上。对于肖特基势垒二极管的研究自1975年第一只6H-SiC SBD以来一直持续至今。随着碳化硅的单晶材料与外延质量以及碳化硅工艺水平的提高,优越性能的SiC SBD以及其应用也不断被报道。JBS是一种基于SBD的改进器件,利用PN结势垒来降低隧穿电流对击穿电压的限制,因此在正向模式下由于把肖特基势垒作为主要导电部分,因此获得较高正向电流,而反向模式下具有比SBD更低的反向电流。以上特质使SiC JBS在高压、高速领域都具有广泛应用前景,受到广泛关注。本文主要工作是先对PiN二极管和SBD二极管的物理结构进行分析,分析正反向特性曲线,并根据对应公式分析器件开关速度、正向压降、反向击穿电压等关键要素的影响因素。接着选定器件模拟软件,设定好参数,外接电路,测出正反向特性曲线,并根据之前的猜测改变单一条件得到多条特性曲线,对比可以分析出器件导通特性的改进方法。