石墨烯由于其优异的化学、物理性能,成为了21世纪材料界和科学界最耀眼的一颗新星,其制备方法很多,其中CVD法以其简单的工艺,低价的成本,成为近些年来最热门、最有望工业化的一种制备手段。本文以铜箔为载体、以甲烷为碳源,用低压化学气相沉积法制备石墨烯。通过调节甲烷流量、氢气流量等实验参数,研究了各实验参数对石墨烯的影响,并制备出了高质量的双层石墨烯,和形貌新颖的三角形结构石墨烯。首先,我们探究了碳源气体甲烷和还原性气体氢气流量对石墨烯生长的影响。我们发现作为碳源气体,甲烷流量并不是越大对石墨烯的生长越有利,在一定的实验条件下,甲烷量增大,石墨烯的成核密度增大,晶粒减小,石墨烯质量有所下降；同样,氢气作为还原性气体,它的存在是石墨烯生长必不可缺的,但是过量的话会和石墨烯产生化学反应。通过调节实验参数,我们制备出了大面积、质量相对较高的石墨烯。其次,我们研究了石墨烯的形貌控制,我们制备出了形貌新颖的三角形石墨烯结构,对其进行电镜和拉曼测试,我们发现三角形石墨烯为直角三角形,石墨烯晶粒具有高度一致的取向性,且为双层或者少层,缺陷较少,质量高；我们发现在反应过程中氧气和氢气的平衡是形成三角形石墨烯的关键。最后,我们发现了氢气在降温过程中的重要作用。氢气作为还原形性气体,在石墨烯的生长过程中起到消除氧化性气体以及杂质,起到清洁和保护的作用,但是我们在实验过程中发现氢气在降温过程中也是必不可缺的,因为在石墨烯的生长过程中反应腔中会残留氧气或者氧化性气体,这些氧化性气体在高温时会与石墨烯发生反应氧化石墨烯,故氢气在降温过程中是不可或缺的。这为化学气相沉积法制备石墨烯提供了新的理论基础。