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电磁波谱中，太赫兹（Terahertz，THz）波段位于微波与红外之间，一般认为频率在0.1THz~10THz。所谓的“太赫兹空隙”是由于缺乏相应的THz光源和THz探测器而被人们所赋予的。由于THz波探测技术可以应用于诸多领域，例如非无损探测、安检和生物医药等，近年来THz探测引起了人们浓厚的研究兴趣。研究具有实时探测、整列成像、室温工作、体积小、成本低的THz探测成像技术对推进太赫兹科技发展和实际应用具有重要意义。采用基于微测辐射热计的微桥技术是实现THz探测器件的重要技术手段。使微测辐射热计工作在THz波段，首要的改进是增加单独的THz吸收层，并优化其薄膜厚度，来提高辐射吸收率；其次是加长桥腿长度或减小桥腿宽度来减少热传导中的热损耗，以及增大探测单元的吸收面积来提高THz辐射吸收量。本利用IntelliSuite软件对所设计的微测辐射热计结构进行了热学和力学仿真，结果表明，增大桥腿宽度显著降低了探测单元的绝热性能，而带来的力学性能改善却很微弱；增大单元面积可以显著提高热学性能，但同时也显著降低了力学性能。因此，在设计适用于THz波段的探测单元时，在保证力学稳定性的前提下，可以尽量的减小桥腿宽度和增大单元面积。同时，本文对各探测单元进行了实际制备，观测结果表明，探测单元的面积大小显著影响着其力学稳定性，桥腿的加宽不能明显的改善单元形变情况，与力学仿真结果一致。NiCr合金是较为适合的THz吸收层材料，理论分析表明它对某一频段的THz辐射存在吸收峰值，且吸收峰值集中在约10nm~30nm的厚度区间内，因此可以通过优化NiCr吸收层的薄膜厚度可以使其达到较高的THz吸收率。实际测试数据表明，NiCr薄膜对1THz及其以下的频段内的吸收率非常微弱；在1THz~2.5THz的频段内，NiCr薄膜的THz吸收率呈现上升趋势，其中，10nm~30nm厚度区间内的NiCr薄膜吸收率较高，约为10~20%，与理论分析结果较为符合。