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铝掺杂氧化锌(AZO)具有优异的电学、光学、磁学以及敏感性能,作为一种多功能材料,它被广泛应用于电子信息产业和能源技术产业。作为继硅为代表的第一代半导体和砷化镓为代表的第二代半导体之后的第三代宽禁带半导体,其半导体性能被逐步开发并得到越来越多的应用。AZO作为典型的电子导体,其导电性能主要由载流子浓度和Hall迁移率决定。由于ZnO对掺杂元素的固溶度很低,仅调控载流子浓度导电性提升空间有限。因而,Hall迁移率的研究对制备高导电的AZO基陶瓷对多功能、低成本的电子信息产业的发展具有重要意义和应用价值