硅系薄膜的PECVD法制备、微结构与性能研究

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【摘要】

：

纳米硅(nc-Si)薄膜由非晶相、硅纳米晶粒以及高浓度界面区域构成,具有电导率高、电学激活能低、光热稳定性好、光吸收能力强以及载流子迁移率高等特点,在薄膜太阳能电池、薄膜晶体管、传感器以及二极管等领域有着广泛的应用前景。本研究工作以SiH4和H2为前驱气体,通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,制备了具有不同中程有序性和缺陷态密度的非晶硅薄膜。以非晶硅薄膜为前驱体,通过常规高温退火(SPC

【作者】

：

杨飞

【机构】

：

浙江大学

【发表日期】

：

2013年01期

【关键词】

：

非晶硅薄膜纳米硅薄膜 PECVD SPC RTA 结晶程度光学带隙电导率

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