金刚石薄膜除了具有与天然金刚石相同的晶体结构，也具有高硬度、高耐磨、宽的禁带宽度、宽的光波透过性、耐腐蚀等特性。工具领域、热沉领域和光学应用领域都特别需要它的这些优良特性，所以它具有极其广阔的应用前景，使其成为了人们的研究热点。在光学应用领域，我们知道金刚石薄膜是制造蓝区电致发光器件比较有前景的材料。所以，本文根据这个特点，将会应用微波等离子体化学气相沉积和电子束物理气相沉积系统制备异质结金刚石电致发光器件，在实验的过程中我们不断的改良器件的结构，改进工艺，最终制备出了结构为高掺杂硅/金刚石/硼/ZAO、高掺杂硅/金刚石/硼/金刚石/ZAO和高掺杂硅/金刚石/硼/金刚石/SiO2/ZAO金刚石薄膜电致发光器件。接着我们应用相关设备检测和分析了样品的成分、光谱特性及发光强度与激发电压之间的关系，最后对实验结果进行了分析总结。对结构为高掺杂硅/金刚石/硼/ZAO电致发光器件，通过检测我们发现，当外接直流电压器的示数为85V时，器件发光亮度达到最大且用肉眼可明显可分辨其为白光，并且我们得到了其发光光谱的主峰位于黄区590nm处，两个次峰分别位于蓝区485nm、红区638nm处。对于结构为高掺杂硅/金刚石/硼/金刚石/ZAO电致发光器件，通过检测得到了其发光光谱的主峰位于绿区525nm处，一个很小的次峰位于638nm处，我们还发现，当外接电压器的示数同样为85V时，器件大面积均匀发光且亮度达到最大，用肉眼可明显分辨其为白光偏绿。对于结构为高掺杂硅/金刚石/硼/金刚石/SiO2/ZAO电致发光器件，通过检测我们得到了其发光光谱的光峰分别位于蓝区475nm、黄区575nm和红区650nm处，且加直流电压后发现器件发白光，这和预期的一样。同样经过检测我们发现，当器件两端加很小直流电压时，器件就开始发光，并且随着电压增大，电流大幅度增大。本文对金刚石电致发光做了研究，并且已经做出发光效果不错的器件，希望对其实现实用化做出贡献。