水体中的砷主要分为+3价砷和+5价砷。由于+3价砷比+5价砷的毒性高很多,而且+3价砷多以中性和不带电荷的形式存在,所以传统的吸附剂对+3价砷效率并不高。因此,将+3价砷先氧化再加以除去是一种非常可行的办法。基于TiO₂的光催化剂被认为是一种很有意义的As（Ⅲ）氧化方法。但是,大多数TiO₂光催化剂带隙宽,导致其对可见光的吸收不高。此外,TiO₂对砷的亲和性较差。最近,石墨相氮化碳由于其带隙窄（2.7 e V,ECB=1.42V vs NHE）,容易被可见光激发而已经引起了相当大的关注。然而,纯的石墨相氮化碳由于其光生电子和空穴的复合率高使其光催化活性受到限制。为了克服这些限制,通过与其它半导体形成具有异质结的光催化剂,包括Cd S,TiO₂,Ag2O,Zn Fe2O4,和Fe₃O₄等用于提高光催化活性。众所周知,由于FeO_x是优异的吸附剂,对砷具有较高的亲和性。因此,通过分别将Fe₃O₄和α-Fe₂O₃与g-C₃N₄复合,制备了双重作用的FeOCN-x和α-FeOCN-x复合材料,实现了在光催化下实现从水溶液中将As氧化的同时并进行吸附。将制备的复合材料的进行了广角X射线粉末衍射表征,透射电镜表征,高分辨率透射电镜表征,X射线光电子光谱表征,紫外可见漫反射光谱表征,磁滞回线表征和BET表面分析。并详细研究了两种复合材料在可见光催化下对As（Ⅲ）和As（T）的吸附能力,包括光催化氧化动力学实验,溶液p H对光催化氧化吸附的影响,As（Ⅲ）初始浓度对光催化氧化吸附的影响,干扰离子对As（Ⅲ）和As（T）吸附的影响,As（Ⅲ）氧化机理的研究以及复合材料重复利用性能的研究。实验结果表明:（1）XRD证明FeOCN-x是一种两相复合材料,HTEM证明g-C₃N₄和Fe₃O₄之间存在异质结结构。动力学实验表明,Fe OCN^-16具有最高的速率常数(0.0066min^-1),分别是纯g-C₃N₄和Fe₃O₄的16.5和3.0倍,Fe OCN^-16对As的吸附行为切合Langmuir等温吸附模型,干扰离子对As去除的影响不大。当Cl^-,SO₄^2-,NO₃^-,HCO₃^-和SiO₃^2-的浓度为10 m M时,As（Ⅲ）的去除率分别为95%,94%,96%,91%和89%。As（Ⅲ）氧化机理的实验表明,As（Ⅲ）的氧化机理主要是超氧自由基的机理。在重复吸附-解吸五个循环后,As（Ⅲ）和As（T）的去除率分别为94%和80%。（2）XRD证明α-FeOCN-x是一复合材料,HTEM证明g-C₃N₄和α-Fe₂O₃之间形成了异质结。动力学实验表明,α-Fe OCN^-12具有最高的速率常数(0.0047 min^-1),分别是纯g-C₃N₄和α-Fe₂O₃的5.4和19.2倍,α-Fe OCN^-12对As的吸附行为切合Langmuir等温吸附模型,当水体中共存阴离子Cl^-,SO₄^2-,NO₃^-,HCO₃^-和SiO₃^2-的浓度为10 m M时,复合材料对As（Ⅲ）的去除率分别是91%,82%,84%,91%和41%。As（Ⅲ）氧化机理的实验表明,As（Ⅲ）的氧化机理主要是超氧自由基的机理。在重复吸附-解吸五个循环后,As（Ⅲ）和As（T）的去除率分别为86%和75%。