真空压力浸渗法制备SiC_P/Al复合材料及热膨胀性能研究

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SiCp/Al复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能,是当今材料科学的研究热点之一。制备高性能的预制体是制备高性能SiCp/Al复合材料的关键技术之一。目前国内外有关颗粒预制体制备的报道非常少。选择性激光烧结法(SLS)制备预制体较其他的方法具有无模制造和能制备复杂形状的优点。在SiCp/Al复合材料的制备方法中,真空压力浸渗法是在真空、压力条件下浸渗,可以改善金属与增强体的界面结合情况,内部组织也较密实。而且通过控制熔化过程更能避免气体和夹杂物的裹入问题。是较好的制备含高体积分数SiC颗粒的SiCp/Al复合材料的方法。本文提出了将环氧树脂与磷酸二氢铵作为混合粘结剂进行激光烧结制备SiCp预制体的方法,在200℃左右的激光烧结时,环氧树脂发挥主要粘结作用,随后的700℃二次烧结使环氧树脂烧损生成孔隙并使磷酸二氢铵发挥主要粘结作用让预制体成型。经过正交实验,结合工艺参数对预制体成型性的影响和提高烧结效率的目的,最后选择的激光烧结工艺参数为:激光功率30W;扫描速度1500 mm/s;激光扫描间距0.1mm;铺粉层厚0.2mm。所制备的预制体通过真空压力浸渗法制得了SiCp/Al复合材料,其颗粒分布均匀,颗粒体积比通过调节环氧树脂比例和加入填料的方式在一定范围内可调。讨论了在真空压力浸渗法制备单一颗粒尺寸SiCp/Al复合材料中浸渗压力、浸渗温度、保压时间和Si、Mg的加入对渗流的影响并提出了改善渗流的方法。成功制备了含80μm和21μm SiC的双颗粒尺寸SiCp/Al复合材料, SiC颗粒体积分数为68.3%,其SiC颗粒分布均匀,界面处无明显孔洞和夹杂,也无Al4C3脆相生成,通过云纹干涉法测得其30℃-200℃的热膨胀系数为8.289x10-6 /K,200℃-500℃的热膨胀系数为11.307x10-6 /K。当温度超过200℃,随着热应力的增加及基体强度的下降,基体中产生了塑性变形。此时复合材料的热应变等于基体和陶瓷颗粒的膨胀量与基体塑性变形量之和,因而导致了SiCp/Al复合材料的热应变随温度的非线性变化。实验证明,SiCp/Al复合材料的热膨胀系数会随着SiC颗粒体积百分比的增加而减小。
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